儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
    儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點

測量范圍

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴展)；  
 方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴展)； 
 電導率：10^-5～10⁵ s/cm； 
 電阻：10^-5～10⁵ Ω； 

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續可調

數字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
 精度：±0.1% ；
 顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、超量程自動顯示；

基本指標

間距：1±0.01mm；
 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
 機械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；